분류 전체보기33 CPT 대칭 - 생기부 추천용 CPT 대칭이란 무엇인가? “우주가 어떤 상황에서도 지키는 깊은 균형의 법칙”을 수식 없이 풀어본다 CPT 대칭은 물리학자들이 “우주가 가진 최후의 금과옥조”라고 부르는 개념입니다. 이 글에서는 복잡한 수식을 사용하지 않고, 직관과 비유를 통해 CPT 대칭이 왜 중요한지 살펴보겠습니다. 1. C·P·T, 세 글자의 의미 C (Charge ) – 전하: 입자의 “+”와 “−”를 뒤집는 연산. P (Parity ) – 위치 반전: 거울 속으로 들어간 듯, 좌우가 바뀌는 공간 변환. T (Time ) – 시간 반전: 영화 필름을 거꾸로 돌리듯, 과정의 순서를 뒤집는 변환. 이 세 가지 변환을 모두 동시에 적용하면, 어떤 물리 현상이라도 원래와 구별할 수 없으리라는 것이 CPT.. 2025. 6. 13. 우주 방사선 용어 정리 우주 방사선 용어 총정리 우주 탐사와 우주 환경 연구에서 방사선은 피할 수 없는 중요한 요소입니다. 이 문서에서는 우주 방사선과 관련된 핵심 용어들을 체계적으로 정리했습니다. 우주 방사선의 주요 유형 SEP (Solar Energetic Particles, 태양 에너지 입자) 태양 플레어나 코로나 질량 방출(CME) 같은 태양 활동으로 인해 발생하는 고에너지 입자들입니다. 주로 양성자로 구성 (90% 이상) 예측이 어려운 산발적 발생 수 시간에서 수 일간 지속 .. 2025. 6. 13. Part 6 반도체 반도체 딥다이브 — Part 6 / 6미래 소재·Post‑Silicon 로드맵0. 프롤로그 — ‘실리콘 이후, 무엇이 올까?’실리콘 CMOS는 FinFET→GAAFET→CFET 로 이어지는 수평적·수직적 스케일링 단계에 도달했습니다. 이 편에서는 다음 세대를 이끌 2D TMD, 3D 적층 CFET, 포토닉·양자 소자와 친환경 전력 반도체까지 통합적으로 조망합니다.1. 2D TMD 소재 (MoS₂, WS₂, WSe₂…)1.1 밴드갭 & 유효질량소재Eg(eV)m*e/m₀이점MoS₂1.8 (mono)0.45n‑FET 채널WSe₂1.60.35p‑FET 채널MoTe₂1.10.30Small‑gap CMOS1.2 전류 모델\[I_{D}=\frac{W}{L}\mu_{2D}C_{2D}(V_{GS}-V_{TH})^{\al.. 2025. 6. 11. Part 5 반도체 반도체 딥다이브 — Part 5 / 6패키징 · HBM · 신뢰성 테스트0. 프롤로그 — 칩 성능은 ‘실장 이후’가 결정짓는다트랜지스터가 아무리 빨라도, 패키지 저항·온도·전력망이 병목이면 의미가 없습니다. 이번 편은 최첨단 2.5D/3D 패키징, HBM 메모리 스택, 신뢰성 가속 테스트를 전문가 관점으로 해부합니다.1. 패키징 레이어 맵층기술특징주 제조사Backside PDNRDL-first BSPDNCu 4–6 µmTSMC, IntelInterposerSi/Glass 2.5DLine/Space 0.8/0.8 µmSamsung I-CubeDie-to-DieHybrid Bond (Cu–Cu)Pitch ≤ 6 µmTSMC SoICSubstrateABF CoreTg 230 ℃, k≈3.2Ibiden, Shi.. 2025. 6. 11. Part 4 반도체 반도체 딥다이브 — Part 4 / 6공정 통합 & EUV 설계 규칙0. 프롤로그 — ‘패턴을 넘어, 회로까지 생각하라’선폭이 1X nm 아래로 내려오면, 패터닝과 소자 물리만으로는 칩 성능이 결정되지 않습니다. 공정–설계 통합(PI & DTCO)이 필수이며, EUV 시대에는 확률적 결함·마스크 flare·중첩 규칙까지 설계 룰에 포함됩니다.1. FEOL 공정 통합1.1 HKMG(HfO₂/Metal Gate) 스택TiN / HfO₂ / SiON 캐핑 — CETinv Gate First vs. Gate Last — 20 nm 이하에서는 Gate Last(SAQP + CMP)가 대세1.2 스트레인 엔지니어링SiGe P‑FET 채널 & CESL(Capping Layer) 텐션 → 이동도 µₕ 30 % ↑.2... 2025. 6. 11. Part 3 반도체 반도체 딥다이브 — Part 3 / 6소자 물리 스케일링: MOSFET→FinFET→GAAFET0. 프롤로그 — ‘전류를 누가, 얼마나 빨리 끊고 켜는가?’패터닝으로 선폭을 줄였다면, 전하 제어를 담당하는 소자 구조도 진화해야 합니다. 이 편은 전류–전압 모델을 시작으로, 플래너 MOSFET → FinFET → GAAFET 로직 소자와 전력 디바이스까지 다룹니다.1. 플래너 MOSFET 기본식1.1 Square‑Law Model (Long Channel)\[I_{\text{D,sat}}=\frac{\mu_{n}C_{\text{ox}}}{2}\frac{W}{L}\,(V_{\text{GS}}-V_{\text{TH}})^{2}\]여기서 Cox=εox/tox. 65 nm 노드까지 좋은 근사.1.2 단채널 효과D.. 2025. 6. 11. 이전 1 2 3 4 ··· 6 다음